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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
63
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2543
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