RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 33
    Около 12% меньшая задержка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.9 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 15.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2423 left arrow 2601

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
модули RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
модули RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
модули RAM
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
модули RAM