RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
49
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2534
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link