RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link