RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link