RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link