RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2489
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link