RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link