RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link