RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3249
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link