RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
48
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
48
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link