RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link