RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link