RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link