RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2283
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link