Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB против V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Средняя оценка

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Причины выбрать
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 13.7

Среднее значение в тестах

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 43

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.4 2,160.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 40
Скорость чтения, Гб/сек

5,987.5 13.7
Скорость записи, Гб/сек

2,160.7 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

957 2411

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

Kingston 9905744-011.A00G 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM