RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
2443
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link