RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.8 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 17000
    Около 1.51% выше полоса пропускания
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 33
    Около -18% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.8 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3285 left arrow 2179

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
модули RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
модули RAM