RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2173
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link