RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2173
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link