RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
64
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2374
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link