RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2563
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link