RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Сравнить
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB против Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,069.2
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
106
Около -308% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
106
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,273.7
19.9
Скорость записи, Гб/сек
2,069.2
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
734
3972
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Сравнения RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link