RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
9.1
Скорость записи, Гб/сек
9.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2031
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link