RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3273
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link