RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3273
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link