RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
58
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
3601
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link