RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2382
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link