RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
46
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3037
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link