RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
42
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2701
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link