RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3660
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link