RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2943
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link