Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.6

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 77

Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 2,622.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 35
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 13.6
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2468

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

Kingston 9905713-019.A00G 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

JUHOR JHD3000U1908JG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

Kingston KWTHG4-MIE 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

Kingston 9905599-029.A00G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB

модули RAM