RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2468
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link