RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2468
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Comparações de RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link