RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,622.0 left arrow 13.9
    Среднее значение в тестах
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB Причины выбрать
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    50 left arrow 77
    Около -54% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 50
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,405.2 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,622.0 left arrow 13.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    763 left arrow 2950

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
модули RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
модули RAM