Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 11.0

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 77

Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 27
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 12.8
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2785

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

модули RAM

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM