RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3419
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link