RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
91
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
4.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
91
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
6.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1214
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link