RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
104
Около -373% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3091
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link