RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
104
Около -174% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2298
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link