RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
68
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
2508
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link