RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
68
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,702.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,886.6
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,702.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
654
2508
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link