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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
68
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
2508
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
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