RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
38
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость чтения
25.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
14
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
25.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
19.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
4182
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link