RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
38
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
14
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4182
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link