RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1966
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link