RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2489
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link