RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
10.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
24
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
10.7
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
23400
19200
Other
Описание
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2935
2731
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link