SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 19200
    左右 1.22% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    24 left arrow 30
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16 left arrow 14.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.8 left arrow 10.7
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    30 left arrow 24
  • 读取速度,GB/s
    14.7 left arrow 16.0
  • 写入速度,GB/s
    10.7 left arrow 10.8
  • 内存带宽,mbps
    23400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2935 left arrow 2731
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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