RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
19200
Wokół strony 1.22% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
23400
19200
Other
Opis
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2935
2731
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link