RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
51
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
51
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
10.9
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2286
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link