RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
41
Около -71% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2028
2462
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link