RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2028
2462
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5402-052.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link