RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
96
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2584
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link